66795

Автор(ы): 

Поляков О. П. (ИПУ РАН, Лаборатория 02)
Касаткин С. И. (ИПУ РАН, Лаборатория 02)
Амеличев В. В. (?)
Поляков П. А. (МГУ, Физический факультет)

Автор(ов): 

4

Параметры публикации

Тип публикации: 

Статья в журнале/сборнике

Название: 

Исследование области устойчивой работы элементов магниторезистивных запоминающих элементов.

ISBN/ISSN: 

0367-6765

Наименование источника: 

  • Известия Российской академии наук. Серия физическая

Обозначение и номер тома: 

Т. 85, № 11

Город: 

  • Москва - Астрахань

Издательство: 

  • Наука

Год издания: 

2021

Страницы: 

1554-1558
Аннотация
Исследована область устойчивой работы элементов магниторезистивных запоминающих элементов с учетом поля неоднородности фиксирующего нано-магнитного слоя. В приближении однородного намагничивания вычислен коэффициент магнитостатического взаимодействия чувствительного и фиксированного слоев. Найдены оптимальные значения импульса магнитного поля, переключающие битовые состояния.

Библиографическая ссылка: 

Поляков О.П., Касаткин С.И., Амеличев В.В., Поляков П.А. Исследование области устойчивой работы элементов магниторезистивных запоминающих элементов. // Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2021. Т. 85, № 11. С. 1554-1558.