Предыдущие работы были посвящены влиянию инфракрасного излучения на радиационную стойкость биполярных транзисторов. Учитывая тот факт, что напряженность электрического поля в слое подзатворного изолирующего окисла МОП транзистора существенно выше, чем напряженность краевого электрического поля над переходом база-эмиттер биполярного транзистора, было проведено исследование влияния инфракрасного излучения на радиационную стойкость МОП транзисторов. Получены результат свидетельствующие о наличие такого влияния, однако они не всегда однородны и повторимы, вследствие чего необходимы дальнейшие исследования вопроса.